2MBI75UA-120-50
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Fabricant FUJI
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Référence fabricant 2MBI75UA-120-50 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
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Modèle de Produit

2MBI75UA-120-50

Introduction

Module IGBT pour l'alimentation et le contrôle de haute puissance

Marque et Fabricant

FUJI Electric

Caractéristiques

Module Transistor Bipolaire à Grille Isolée, Faibles pertes de puissance et commutation douce, Fonctionnement à haute fréquence

Performance du Produit

Performance efficace et robuste pour les applications énergétiques, Fonction d'auto-limitation en cas de surintensité intégrée

Spécifications Techniques

Tension Collecteur-Émetteur : 1200V, Courant de Collecteur : 75A, Configuration du Module : IGBT double

Dimensions, Forme et Conditionnement

Taille de module standard, Forme rectangulaire, Emballage en matériau anti-statique

Qualité et Fiabilité

Durabilité et longévité éprouvées, Faible taux de défaillance, Conforme aux normes de qualité industrielles

Avantages du Produit

Technologie économe en énergie, Capacités de commutation à grande vitesse

Compétitivité du Produit

Compétitif sur le marché des IGBT, Supérieur aux transistors conventionnels en matière de gestion de puissance

Compatibilité

Standardisé pour une intégration polyvalente dans les systèmes, Compatible avec divers pilotes de grille et contrôleurs

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales des semi-conducteurs, Conforme à la directive RoHS sur les substances dangereuses, Conforme aux normes IEC pour la sécurité

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle, Favorise une utilisation durable avec une technologie à faibles émissions

Champs d'Application Réels

Entraînements de moteurs industriels, Inverseurs pour énergies renouvelables, Systèmes d'alimentation pour véhicules électriques (EV), Alimentation sans interruption (UPS)

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