6MBP50RA120
Modèle de produit 6MBP50RA120
Fabricant FUJI
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Référence fabricant 6MBP50RA120 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant FUJI La description IGBT Modules
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Modèle de Produit

6MBP50RA120

Introduction

Module IGBT

Marque et Fabricant

FUJI

Caractéristiques

Technologie des transistors bipolaires à grille intégrée (IGBT)

Faible perte d'énergie et haute efficacité

Conçu pour des applications à moyenne et haute tension

Performance du Produit

Haute performance de commutation

Résistance thermique améliorée

Optimisé pour des opérations à haute fréquence

Spécifications Techniques

Type : Module IGBT

Configuration : Six-pack

Tension collecteur-émetteur : 1200 V

Courant collecteur : 50 A

Tension grille-émetteur : ±20 V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Module rectangulaire

Emballage industriel standard

Conception encapsulée pour une manipulation et une installation robustes

Qualité et Fiabilité

Haute durabilité et fiabilité dans des environnements difficiles

Longue durée de vie opérationnelle avec un faible taux de défaillance

Avantages du Produit

Efficace sur le plan énergétique

Réduit la complexité du système

Soutient l'architecture de conception modulaire

Compétitivité du Produit

Très concurrentiel dans les applications d'électronique de puissance

Offre des avantages de performance et de coût par rapport aux solutions conventionnelles

Compatibilité

Compatible avec les pilotes de grille standard et les circuits de contrôle

Intégration flexible avec les systèmes d'énergie existants

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales de sécurité et de performance

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une utilisation à long terme avec une dégradation minimale

Écologique avec une faible consommation d'énergie et des composants recyclables

Champs d'Application Réels

Véhicules électriques

Systèmes d'énergie renouvelable

Motorisations industrielles

Systèmes de gestion de l'énergie

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