7MBP50TEA120
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Référence fabricant 7MBP50TEA120 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
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Modèle de Produit

7MBP50TEA120

Introduction

Module IGBT conçu pour des applications haute puissance

Marque et Fabricant

Fabriqué par Fujitsu

Caractéristiques

Capacités de commutation à haute vitesse, faibles pertes de puissance, seuil de haute tension, diode intégrée pour les fonctions de roue libre

Performance du Produit

Excellente performance thermique, oxyde de porte robuste, faible résistance à l'état passant, caractéristiques de température stables

Spécifications Techniques

Tension : 1200V, Courant : 50A, Configuration : 7-Pac, Type : IGBT à tranchée avec arrêt de champ

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage de module standard, forme rectangulaire, encapsulation en résine époxy, spécifications de taille du module non fournies

Qualité et Fiabilité

Haute durabilité et longévité, contrôle qualité strict, conformité aux normes de l'industrie

Avantages du Produit

Fonctionnement économe en énergie, pertes de commutation minimisées, bonne compatibilité électromagnétique (CEM)

Compétitivité du Produit

Compétitif sur le marché de l'électronique de puissance, répond à la demande de solutions plus écologiques, équilibre coût et performance

Compatibilité

Interopérable avec des systèmes standard d'électronique de puissance

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux normes de sécurité et environnementales internationales pertinentes, conforme RoHS

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle, conçu pour une utilisation durable avec un impact environnemental réduit

Champs d'Application Réels

Adapté pour les onduleurs, les convertisseurs, les entraînements de moteur et les systèmes de transmission d'énergie

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