Modèle de Produit

7MBR35SB120H-50

Introduction

Module de puissance IGBT

Marque et Fabricant

FUJI

Caractéristiques

Module transistor pour commutation haute puissance, technologie de transistor bipolaire à grille isolée, faible perte de puissance, commutation haute vitesse, diode de roue libre intégrée.

Performance du Produit

Fonctionnement à haute efficacité, excellentes propriétés thermiques, court-circuit pour un fonctionnement robuste, faible dissipation totale de la puissance.

Spécifications Techniques

Tension Collecteur-Émetteur : 1200V, Courant Collecteur Continu : 35A, Tension Grille-Émetteur : ±20V, Tension de saturation Collecteur-Émetteur : valeur typique dans des conditions spécifiées.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage standard du module, conditionnement en vrac ou en boîte individuelle, facteur de forme rectangulaire, dimensions spécifiques disponibles dans la fiche technique.

Qualité et Fiabilité

Conformité aux normes de qualité industrielle, testé pour la durabilité et la longévité, cohérence des performances.

Avantages du Produit

Gestion améliorée de la puissance, réduction des pertes de commutation, convient aux applications haute fréquence.

Compétitivité du Produit

Compétitif dans les scénarios haute puissance, offre des avantages en performance par rapport aux dispositifs en silicium conventionnels.

Compatibilité

Conçu pour être compatible avec une large gamme de tensions d'entraînement, adapté à divers circuits électroniques et conceptions.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales pertinentes en matière de semi-conducteurs.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle dans des conditions spécifiées, répond aux critères de durabilité pour les dispositifs de puissance.

Champs d'Application Réels

Systèmes de contrôle de moteurs, onduleurs et convertisseurs, systèmes d'énergie renouvelable, alimentations électriques et UPS, véhicules électriques et systèmes de transport.

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