Modèle de Produit

MAT12AHZ

Introduction

Transistor bipolaire (BJT) en matrice, composé de 2 transistors NPN (double) appariés.

Marque et Fabricant

ADI (Analog Devices, Inc.)

Caractéristiques

Matrice de transistors NPN double, montage traversant, sans plomb et conforme à la directive RoHS.

Performance du Produit

Courant collecteur maximal de 20 mA, tension de claquage collecteur-émetteur de 40 V, courant de coupure collecteur maximum de 500 pA, fréquence de transition de 200 MHz, saturation Vce maximale de 200 mV à 1 mA de courant collecteur.

Spécifications Techniques

Type : 2 transistors NPN (double) appariés, tension - Claquage collecteur-émetteur (max) : 40 V, courant - Collecteur (Ic) (max) : 20 mA, fréquence - Transition : 200 MHz, saturation Vce (max) @ Ib, Ic : 200 mV @ 100 A, 1 mA.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Package/boîtier : TO-78-6 en métal, emballage : tube, forme : canette en métal avec six pattes.

Qualité et Fiabilité

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) : 1 (illimité), sans plomb et conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale.

Avantages du Produit

Haute fréquence de transition pour les applications RF et de traitement du signal, performance stable dans des températures extrêmes de -65 °C à 150 °C.

Compétitivité du Produit

Spécifications de haute performance pour les tâches critiques d'amplification de signal, conçu pour une fiabilité dans diverses conditions environnementales.

Compatibilité

Conception à montage traversant compatible avec le montage standard sur PCB.

Certification et Conformité aux Normes

Sans plomb / Conforme à la directive RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Construction robuste conçue pour une fiabilité à long terme dans diverses applications, conformité environnementale améliorant la durabilité du cycle de vie.

Champs d'Application Réels

Traitement du signal, applications audio, amplification RF, amplification à usage général dans les circuits électroniques.

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