FDA28N50F | |
---|---|
Modèle de produit | FDA28N50F |
Fabricant | onsemi |
La description | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Quantité disponible | 9350 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf |
Télécharger | FDA28N50F Détails PDF |
FDA28N50F Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informations techniques de FDA28N50F | |||
---|---|---|---|
Référence fabricant | FDA28N50F | Catégorie | |
Fabricant | onsemi | La description | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Paquet / cas | TO-3PN | Quantité disponible | 9350 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3PN |
Séries | UniFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 14A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 310W (Tc) | Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5387 pF @ 25 V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 500 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 28A (Tc) |
Numéro de produit de base | FDA28 | FDA28N50F Détails PDF [English] | FDA28N50F PDF - EN.pdf |
Télécharger | FDA28N50F Détails PDF |
FDA28N50F
MOSFET N-Channel de 500V et 28A conçu pour des applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité.
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Capacité de haute tension jusqu'à 500V. Courant de drain continu de 28A à 25°C. Rds(on) faible de 175 mOhm pour maximiser l'efficacité. Dissipation de puissance élevée de 310W. Montage en travers pour une installation facile.
Fonctionne efficacement dans une plage de température de -55°C à 150°C. Prend en charge une charge de grille de 105nC à 10V. Capacité d'entrée de 5387pF à 25V. Tension de commande de 10V pour un Rds On optimal.
Type de FET : N-Channel. Tension Drain à Source (Vdss) : 500V. Courant - Drain continu (Id) à 25°C : 28A. Rds On (Max) à Id, Vgs : 175 mOhm. Vgs(th) (Max) à Id : 5V. Charge de grille (Qg) (Max) à Vgs : 105nC. Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds : 5387pF. Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) : 10V.
Emballage / Boîtier : TO-3P-3, SC-65-3. Paquet de dispositif fournisseur : TO-3PN. Emballage : Tube.
Sans plomb et conforme RoHS. Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) : 1 (Illimité).
Capacités élevées de tension et de courant adaptées aux applications exigeantes. Faible résistance à l'état passant permettant de réduire les pertes d'énergie.
Délais de livraison compétitifs de 6 semaines. Fait partie de la série UniFET connue pour sa fiabilité et ses performances.
Compatible avec les procédures de montage en travers standard.
Statut sans plomb / Statut RoHS : Sans plomb / Conforme RoHS.
Construction durable adaptée aux applications industrielles avec une large plage de températures de fonctionnement.
Unités d'alimentation, contrôles de moteurs, circuits d'onduleur, alimentations à découpage.
Action FDA28N50F | Prix FDA28N50F | FDA28N50F Electronique | |||
Composants FDA28N50F | FDA28N50F Inventaire | FDA28N50F Digikey | |||
Fournisseur FDA28N50F | Commandez FDA28N50F en ligne | Demande FDA28N50F | |||
FDA28N50F Image | FDA28N50F Photo | FDA28N50F PDF | |||
FDA28N50F Fiche technique | Télécharger la fiche technique FDA28N50F | Fabricant |
Pièces connexes FDA28N50F | |||||
---|---|---|---|---|---|
Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
![]() |
FDA38N30 IC | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA4100LV-T | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
![]() |
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA450LV | IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP | STMicroelectronics | ||
![]() |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
![]() |
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
![]() |
FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA38N30 MOS | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA38N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | Fairchild Semiconductor |
Message
PlusLe Polarfire® SOC FPGA de Microchip a reçu la certification AEC-Q100, confirmant sa fiabilité dans des conditions automobiles sévères, y compris ...
Le PSOCTM 4000T est le premier produit d'Infineon à présenter la technologie CapSense ™ de cinquième génération de la société et les fonctionn...
Un responsable du fournisseur de pièces automobiles a révélé que le développement de véhicules électriques sur le marché nord-américain a cal...
Infineon et Eatron élargissent leur collaboration Système de gestion des batteries AI (BMS) dans l'électronique industrielle et grand public.Sur la...
Sur le semi-conducteur a récemment annoncé le lancement de son premier capteur de temps de vol indirect en temps réel (ITOF), la série d'identific...
Nouveaux produits
PlusCapteur photoélectrique série PD30 Les capteurs photoélectriques miniatures de Carlo Gavazzi sont...
Kit d'évaluation XC112 / XR112 pour le radar cohérent à impulsions A111Kit d'évaluation XC112 et XR112 d'Acconeer avec câbles plats flexibles et ...
Servomoteurs et moteurs MINAS série A6 La famille MINAS A6 de Panasonic assure un fonctionnement st...
Carte de pilote à LED UV Carte pilote UV RayVio pour les séries XE et XP1 d'émetteurs UV-C La c...
Test SDRAM DDR industriel et étendu Les dispositifs SDRAM DDR d'Insignis garantissent un fonctionne...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AJOUTER: 2703-27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.