FDA28N50F
Modèle de produit FDA28N50F
Fabricant onsemi
La description MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
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Informations techniques de FDA28N50F
Référence fabricant FDA28N50F Catégorie  
Fabricant onsemi La description MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Paquet / cas TO-3PN Quantité disponible 9350 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur TO-3PN
Séries UniFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Emballer Tube Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5387 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500 V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)
Numéro de produit de base FDA28 FDA28N50F Détails PDF [English] FDA28N50F PDF - EN.pdf
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Modèle de Produit

FDA28N50F

Introduction

MOSFET N-Channel de 500V et 28A conçu pour des applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité.

Marque et Fabricant

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Caractéristiques

Capacité de haute tension jusqu'à 500V. Courant de drain continu de 28A à 25°C. Rds(on) faible de 175 mOhm pour maximiser l'efficacité. Dissipation de puissance élevée de 310W. Montage en travers pour une installation facile.

Performance du Produit

Fonctionne efficacement dans une plage de température de -55°C à 150°C. Prend en charge une charge de grille de 105nC à 10V. Capacité d'entrée de 5387pF à 25V. Tension de commande de 10V pour un Rds On optimal.

Spécifications Techniques

Type de FET : N-Channel. Tension Drain à Source (Vdss) : 500V. Courant - Drain continu (Id) à 25°C : 28A. Rds On (Max) à Id, Vgs : 175 mOhm. Vgs(th) (Max) à Id : 5V. Charge de grille (Qg) (Max) à Vgs : 105nC. Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds : 5387pF. Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) : 10V.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage / Boîtier : TO-3P-3, SC-65-3. Paquet de dispositif fournisseur : TO-3PN. Emballage : Tube.

Qualité et Fiabilité

Sans plomb et conforme RoHS. Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) : 1 (Illimité).

Avantages du Produit

Capacités élevées de tension et de courant adaptées aux applications exigeantes. Faible résistance à l'état passant permettant de réduire les pertes d'énergie.

Compétitivité du Produit

Délais de livraison compétitifs de 6 semaines. Fait partie de la série UniFET connue pour sa fiabilité et ses performances.

Compatibilité

Compatible avec les procédures de montage en travers standard.

Certification et Conformité aux Normes

Statut sans plomb / Statut RoHS : Sans plomb / Conforme RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Construction durable adaptée aux applications industrielles avec une large plage de températures de fonctionnement.

Champs d'Application Réels

Unités d'alimentation, contrôles de moteurs, circuits d'onduleur, alimentations à découpage.

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