Modèle de Produit

FDG6332C

Introduction

Array Mosfet N et P-Channel 20V 700mA, 600mA

Marque et Fabricant

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Caractéristiques

N et P-Channel, Niveau de logique de la porte, Technologie de montage en surface, Sans plomb, Conforme RoHS

Performance du Produit

Tension de Drain à Source : 20V, Courant de Drain Continu : 700mA (N-Channel), 600mA (P-Channel), Rds On (Max) : 300 mOhm à 700mA, 4.5V, Charge de la porte (Qg) (Max) : 1.5nC à 4.5V, Capacité d'entrée (Ciss) (Max) : 113pF à 10V

Spécifications Techniques

Puissance - Max : 300mW, Tension - Sortie : PowerTrench, Vgs(th) (Max) @ Id : 1.5V à 250µA

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Emballage du dispositif fournisseur : SC-70-6, Conditionnement : Bande et bobine (TR)

Qualité et Fiabilité

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) : 1 (Illimité)

Avantages du Produit

Haute efficacité grâce à la technologie PowerTrench, Faible résistance à l'état passant, Haute performance thermique

Compétitivité du Produit

Prix compétitif avec des mesures de performance robustes dans sa catégorie

Compatibilité

Compatible avec des applications de niveau logique

Certification et Conformité aux Normes

Sans plomb, Conforme RoHS

Durée de Vie et Durabilité

Conception durable destinée à un usage à long terme dans divers environnements

Champs d'Application Réels

Utilisé dans la gestion de l'énergie, l'interrupteur et les applications d'amplification dans de multiples secteurs, notamment l'électronique grand public, l'automobile et les systèmes industriels

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