Modèle de Produit

AT-41486-TR1

Introduction

Transistor bipolaire haute fréquence conçu pour des applications en RF

Marque et Fabricant

Agilent Technologies

Caractéristiques

Optimisé pour une performance à faible bruit, adapté aux amplificateurs à large plage dynamique, offrant un gain élevé à hautes fréquences, capable de gérer des niveaux de puissance élevés

Performance du Produit

Excellente linéarité sur une large plage de fréquences, performance stable sous des conditions de température variables, faible résistance thermique

Spécifications Techniques

Type : Transistor bipolaire RF, Technologie : Silicium, Plage de fréquence : (Spécifiez la plage en GHz), Gain : (Spécifiez le gain en dB à une fréquence donnée), Facteur de bruit : (Spécifiez la valeur typique en dB), Puissance maximale : (Spécifiez la puissance max en Watts), Tension collecteur-émiteur : (Spécifiez V_CE en Volts), Courant de collecteur : (Spécifiez I_C en mA)

Dimensions, Forme et Conditionnement

Type de boîtier : SO-86, Emballage : Fournis sous forme de bande et de bobine pour assemblage automatisé

Qualité et Fiabilité

Conforme aux normes de qualité et de fiabilité de l'industrie

Avantages du Produit

Fonctionnement haute fréquence le rend adapté aux applications sans fil modernes, robuste contre les avaries sous des conditions de haute puissance

Compétitivité du Produit

Ratio prix-performance compétitif sur le marché des composants RF

Compatibilité

Compatible avec la technologie de montage en surface (SMT), s'intègre facilement dans les conceptions de circuits RF existantes

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux normes environnementales ROHS et WEEE, conforme aux normes de qualité de l'industrie

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle dans des conditions d'application RF typiques

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les communications cellulaires et sans fil, applicable dans les systèmes RF de défense et d'aérospatiale, adapté aux équipements de test et de mesure RF

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