BS62LV4006EIP-55
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Référence fabricant BS62LV4006EIP-55 Catégorie Circuits intégrés (ci)
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Modèle de Produit

BS62LV4006EIP-55

Introduction

SRAM CMOS à faible consommation d'énergie

Marque et Fabricant

BSI

Caractéristiques

Faible consommation d'énergie, courant de veille : 2µA (typique), alimentation unique de 3V, technologie CMOS à haute fiabilité, mise hors tension automatique lorsque la puce est désélectionnée

Performance du Produit

Temps d'accès rapide : 55ns, cycles d'écriture illimités, tension de rétention de données : 1,5V

Spécifications Techniques

Capacité de 4M (512K x 8 bits), fonctionnement à haute vitesse

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier SOP plastique de 32 broches, boîtier à petit contour fin

Qualité et Fiabilité

Mode de rétention des données, construction stable et durable, endurance : 1 000 000 cycles de programmation/effacement, rétention : 10 ans

Avantages du Produit

Convient aux applications alimentées par batteries, facilité de conception avec interface standard

Compétitivité du Produit

Temps d'accès compétitif dans le segment des circuits intégrés à faible consommation d'énergie

Compatibilité

Compatible avec les SRAMs de norme industrielle

Certification et Conformité aux Normes

Gestion de la qualité ISO 9001, conforme aux normes RoHS

Durée de Vie et Durabilité

Durée de vie prolongée avec une grande endurance des cycles d'écriture, conçu pour des systèmes à faible consommation et haute fiabilité

Champs d'Application Réels

Électronique grand public, dispositifs portables, systèmes de communication, stockage de données, électronique médicale

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