HMC435MS8G
Modèle de produit HMC435MS8G
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Référence fabricant HMC435MS8G Catégorie Circuits intégrés (ci)
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Modèle de Produit

HMC435MS8G

Introduction

Circuit Intégré HMC435MS8G Spécialisé pour Applications RF

Marque et Fabricant

HITTITE Microwave Corporation

Caractéristiques

Commutateur RF de Précision, Faible Perte d'Insertion, Haute Isolation, Commutateur SPDT Non-Réfléchissant

Performance du Produit

Vitesse de Commutation Rapide, Protection ESD Robuste, Performance Cohérente sur Température

Spécifications Techniques

Plage de Fréquence : DC - 3,5 GHz, Temps de Commutation : 2 ns typique, Perte d'Insertion : 1,7 dB typique à 2 GHz

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage de Montage en Surface MS8G, Option Sans Plomb Disponible

Qualité et Fiabilité

Répond aux Normes de l'Industrie ou les Dépasse, Performance Cohérente d'un Lot à l'Autre

Avantages du Produit

Haute Intégration Réduit la Complexité de Conception, Convient pour Applications RF à Haute Densité

Compétitivité du Produit

Compétitif dans les Applications à Haute Fréquence, Choix Préféré pour Équipements de Test et de Mesure

Compatibilité

Compatible avec Divers Systèmes et Circuits RF

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la Directive RoHS, Répond aux Normes Militaires pour Composants à Haute Fréquence

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une Fiabilité à Long Terme, Convient aux Exigences de Conception Durable

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les Radios Militaires, Systèmes de Communications Satellitaires, Infrastructure de Stations de Base Cellulaires, Équipements de Test et de Mesure

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