IRF3007
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Référence fabricant IRF3007 Catégorie Circuits intégrés (ci)
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Modèle de Produit

IRF3007

Introduction

Transistor MOSFET de puissance

Marque et Fabricant

IR (Technologies Infineon)

Caractéristiques

Faible résistance à l'état passant, vitesse de commutation rapide, charge de grille minimisée, résistance améliorée aux avalanches répétitives, meilleure caractéristique dynamique dv/dt

Performance du Produit

Conversion de puissance efficace, impédance thermique réduite, densité de puissance accrue, capacité de fonctionnement à haute fréquence

Spécifications Techniques

VDS (Tension Drain-Source) : 75V, ID (Courant Drain Continu) : 75A, RDS(on) (Résistance à l'état passant Drain-Source) : 0,0075 ohms, Qg (Charge Totale de Grille) : 120nC, Configuration : Simple

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier TO-220 sans plomb, configuration standard à 3 broches, emballage tubulaire pour les commandes en gros

Qualité et Fiabilité

Performance thermique robuste, longévité prolongée dans des environnements à forte contrainte, conforme aux normes de qualité industrielles

Avantages du Produit

Haute efficacité pour la régulation de la puissance, adapté aux applications à fort courant, facilité d'intégration dans divers circuits

Compétitivité du Produit

Prix compétitifs sur le marché des MOSFET de puissance, reconnaissance de marque réputée

Compatibilité

Compatible avec les pilotes de MOSFET standards, peut être utilisé dans une large gamme de topologies de circuits

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la directive RoHS, respecte les normes de sécurité et de performance industrielles

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle, recyclable selon les directives sur les déchets électroniques

Champs d'Application Réels

Alimentations à découpage (SMPS), systèmes de gestion de l'énergie, composants de véhicules électriques (EV), systèmes d'énergie renouvelable, circuits de contrôle de moteur

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