Modèle de Produit

K4T51163QE-ZCD50

Introduction

Circuit intégré de mémoire pour opérations à haute vitesse

Marque et Fabricant

Samsung Electronics

Caractéristiques

Intégration de mémoire à haute densité, faible consommation d'énergie, robustesse de la rétention des données, conception de circuit avancée

Performance du Produit

Cycles de lecture et d'écriture rapides, stabilité à des températures extrêmes, bande passante de données élevée

Spécifications Techniques

Technologie DDR2 SDRAM, capacité de soudure sans plomb

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage standard pour circuit intégré, forme compacte pour des applications sensibles à l'espace, emballage compatible avec le refondre

Qualité et Fiabilité

Contrôle qualité strict, tests de résistance thermique, stabilité de performance à long terme

Avantages du Produit

Conçu pour des applications de calcul à haute vitesse, compatible avec une large gamme d'appareils, intégration facile dans les systèmes existants

Compétitivité du Produit

Solution de stockage de mémoire compétitive, performance cohérente à travers les séries, économique pour la fabrication en gros

Compatibilité

Interopérable avec les interfaces standard DDR2 SDRAM, flexible pour une utilisation dans plusieurs architectures systèmes

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes JEDEC, respect des critères RoHS pour les normes environnementales

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour un fonctionnement durable sur plusieurs cycles de vie des produits, utilisation d'énergie minimisée contribuant à l'efficacité énergétique

Champs d'Application Réels

Infrastructure informatique et de serveurs, équipements de télécommunications, électronique grand public nécessitant de la mémoire haute performance

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