Modèle de Produit

K6R1008C1D-TI10

Introduction

Le K6R1008C1D-TI10 est un circuit intégré SRAM à faible consommation d'énergie et grande vitesse.

Marque et Fabricant

Fabriqué par Samsung Electronics, une marque leader dans le domaine de l'électronique.

Caractéristiques

Temps d'accès rapide, consommation d'énergie faible, entrées et sorties compatibles TTL, fonctionnement entièrement statique, ce qui signifie qu'aucun horloge ou rafraîchissement n'est requis.

Performance du Produit

Performance de lecture et d'écriture exceptionnelle, rétention des données fiable, fonctionnement cohérent sous des plages de température étendues.

Spécifications Techniques

Capacité SRAM de 1 Mégabit, alimentation de 5V, temps d'accès : 10 nanosecondes, tension de rétention des données : minimum 2V.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier P-DIP standard, format compact, emballé en tubes ou en plateaux pour un transport sécurisé.

Qualité et Fiabilité

Qualité Samsung éprouvée, tests rigoureux pour assurer la fiabilité.

Avantages du Produit

Accès mémoire à grande vitesse, compatibilité au niveau TTL facilitant l'intégration dans les systèmes.

Compétitivité du Produit

Technologie avancée d'un fabricant de confiance, prix compétitifs pour les commandes en gros.

Compatibilité

Compatible avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux exigences réglementaires standard pour les composants électroniques.

Durée de Vie et Durabilité

Fonctionnement fiable à long terme, conçu pour une performance durable dans diverses applications.

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les télécommunications, les systèmes embarqués, l'électronique grand public, et les applications informatiques.

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