Modèle de Produit

K9F8008W0M-TCB0

Introduction

Mémoire Flash NAND pour le stockage de données non volatiles

Marque et Fabricant

Samsung Semiconductor

Caractéristiques

Technologie Flash NAND, Cellule à Niveau Unique (SLC) pour une haute fiabilité, Interface mémoire parallèle

Performance du Produit

Capacités de lecture et d'écriture à haute vitesse, Taille de mémoire de 8 Mbit, Organisation mémoire de 1M x 8, Rétention des données et endurance

Spécifications Techniques

Tension d'alimentation de 2,7 V à 5,5 V, Plage de température de fonctionnement de 0°C à 70°C, Boîtier de montage en surface 48-TSOP

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier 48-TSOP, Livré en plateaux pour une manipulation facile

Qualité et Fiabilité

Engagement de Samsung Semiconductor en matière de qualité, SLC NAND pour une endurance améliorée

Avantages du Produit

Rétention de données robuste, Conception SLC pour une fiabilité accrue

Compétitivité du Produit

Bien adapté aux applications industrielles, Disponibilité à long terme

Compatibilité

Compatible avec les spécifications d'interface parallèle, Utilisable avec divers microcontrôleurs et processeurs

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux spécifications standards de l'industrie, Se conforme aux normes rigoureuses de qualification de Samsung

Durée de Vie et Durabilité

Conception durable pour une durée de vie prolongée, Technologie SLC pour un nombre élevé de cycles de programme/effacement

Champs d'Application Réels

Systèmes embarqués, Équipements industriels, Électronique grand public, Télécommunications

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