Modèle de Produit

QM50HC-HE

Introduction

Module IGBT

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Module de transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) à haute efficacité, intégré avec des diodes de roue libre pour des applications de commutation, adapté aux applications à haute puissance et d'onduleurs.

Performance du Produit

Optimisé pour des tensions élevées et des courants élevés, performance thermique améliorée pour la stabilité sous charge, faible perte de puissance grâce à un pilotage de grille optimisé.

Spécifications Techniques

Tension nominale : 600V, courant nominal : 50A, type de module : double.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Dimensions : 108mm x 62mm x 30mm, module rectangulaire, emballage industriel standard.

Qualité et Fiabilité

Construction robuste garantissant une fiabilité à long terme, résistance thermique optimisée pour une durée de vie prolongée, conforme aux normes de l'industrie pour les modules IGBT.

Avantages du Produit

Capacité de courant élevée et tension nominale élevée, faible résistance thermique, durabilité accrue pour les environnements industriels.

Compétitivité du Produit

Concurrence avec des modules IGBT similaires d'Infineon, Fuji Electric et Toshiba, offre une gestion thermique et une efficacité supérieures.

Compatibilité

Compatible avec les pilotes IGBT standard, peut être utilisé dans les configurations existantes sans modification pour la plupart des applications.

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux normes de l'industrie en matière de sécurité et de performance, certifié par les autorités pertinentes de l'industrie des semi-conducteurs.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une durée de vie opérationnelle étendue dans des conditions industrielles typiques, matériaux et construction respectueux de l'environnement.

Champs d'Application Réels

Chaînes de traction de véhicules électriques, onduleurs d'énergie renouvelable, entraînements de moteurs industriels, systèmes de gestion de l'énergie.

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