Modèle de Produit

SST29VE512-200-4C-EH

Introduction

Circuit intégré de mémoire Flash pour le stockage de données

Marque et Fabricant

SST (Silicon Storage Technology, Inc.)

Caractéristiques

Remplacement EEPROM de haute fiabilité, faible consommation d'énergie, capacité d'écriture par page

Performance du Produit

Temps d'accès : 70 ns, endurance : minimum 100 000 cycles de suppression/programme

Spécifications Techniques

Taille de mémoire : 512 Kbit, tension d'alimentation : 4,5V à 5,5V, protection en écriture sélectionnable

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage TSOP, nombre de broches : 28, contour mince et petit

Qualité et Fiabilité

Plage de température étendue, rétention de données supérieure à 100 ans

Avantages du Produit

Opérations de lecture et d'écriture rapides, capacités de suppression de secteur et de bloc, adapté aux applications de mise à jour de micro-programme

Compétitivité du Produit

Prix compétitif, remplacement direct pour de nombreux EEPROMs

Compatibilité

Pinout et emballages conformes à la norme JDEC, facilité d'intégration avec les systèmes existants

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à RoHS, sans plomb

Durée de Vie et Durabilité

Haute endurance pour une utilisation répétée

Champs d'Application Réels

Électronique grand public, télécommunications, matériel de mise en réseau, industries automobiles, systèmes de contrôle industriel

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