| SCTW90N65G2V | |
|---|---|
| Modèle de produit | SCTW90N65G2V |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
| Quantité disponible | 478 pcs in stock |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SCTW90N65G2V.pdf2.SCTW90N65G2V.pdf3.SCTW90N65G2V.pdf |
| SCTW90N65G2V Price |
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| Informations techniques de SCTW90N65G2V | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SCTW90N65G2V | Catégorie | |
| Fabricant | ST | La description | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
| Paquet / cas | HiP247™ | Quantité disponible | 478 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | +22V, -10V |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | Package composant fournisseur | HiP247™ |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Dissipation de puissance (max) | 390W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
| Numéro de produit de base | SCTW90 |
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ SCTW90N65G2V Online.
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