Modèle de Produit

STN1NK80Z

Introduction

MOSFET à canal N conçu pour des applications à haute tension

Marque et Fabricant

STMicroelectronics

Caractéristiques

Technologie des semi-conducteurs à oxyde métallique, type canal N pour une gestion efficace de la charge, sans plomb et conforme à la directive RoHS, niveau de sensibilité à l'humidité 1, indiquant une robustesse contre l'humidité

Performance du Produit

Fonctionne de -55°C à 150°C, dissipation de puissance maximale de 2,5 W, tension de drain à source de 800 V, courant de drain continu de 250 mA à 25°C, résistance entre le drain et la source de 16 Ohm à 500 mA et 10 V, tension de seuil de porte maximum de 4,5 V à 50 A

Spécifications Techniques

Charge de porte maximale de 7,7 nC à 10 V, capacité d'entrée de 160 pF à 25 V, tension de commande nécessaire pour un fonctionnement optimal de résistance est de 10 V, tension maximum porte-source de ±30 V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballé dans un format SOT-223, fourni dans un format bande et bobine (TR)

Qualité et Fiabilité

Capacité à haute tension améliore la fiabilité dans des environnements exigeants, conçu pour résister à des températures et des conditions difficiles

Avantages du Produit

Haute tension adaptée aux applications de puissance, écoénergétique grâce à une faible résistance à l'état passant

Compétitivité du Produit

Compétitif dans les segments de marché des MOSFET à haute tension, offre des performances robustes avec un facteur de forme compact

Compatibilité

Compatible avec la technologie de montage en surface pour une intégration plus facile dans divers conceptions de circuits

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux normes de l'industrie pour le respect de la directive RoHS et sans plomb

Durée de Vie et Durabilité

Construction durable garantissant une durée de vie opérationnelle prolongée dans des conditions spécifiées

Champs d'Application Réels

Adapté aux applications de gestion de l'énergie, utilisé dans les alimentations à découpage et les convertisseurs

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