Modèle de Produit

STW88N65M5

Introduction

MOSFET à canal N à haute tension

Marque et Fabricant

STMicroelectronics

Caractéristiques

Technologie MOSFET à canal N, haute tension drain-source (Vdss) de 650V, température de fonctionnement jusqu'à 150°C (TJ), montage travers-de-plaque dans un boîtier TO-247-3, fort courant drain continu de 84A à 25°C, faible valeur Rds(on) de 29 mOhm, charge de porte (Qg) de 204nC à 10V.

Performance du Produit

Dissipation de puissance maximale de 450W, tension de seuil (Vgs(th)) de 5V à 250A, capacité d'entrée (Ciss) de 8825pF à 100V, tension porte-source maximale (Vgs(Max)) de ±25V.

Spécifications Techniques

Type FET: Canal N, Tension drain-source: 650V, Courant - Drain continu: 84A (Tc), Rds On: 29 mOhm.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage / Boîtier: TO-247-3, Type de montage: Travers-de-plaque, Emballage: Tube.

Qualité et Fiabilité

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité).

Avantages du Produit

Conçu pour des applications nécessitant une haute efficacité énergétique.

Compétitivité du Produit

Appartient à la série MDmesh V, offrant une résistance en état passant réduite et des pertes de commutation inférieures.

Compatibilité

Conception travers-de-plaque compatible avec les techniques de montage PCB standards.

Certification et Conformité aux Normes

Sans plomb / Conforme à la réglementation RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Construction durable destinée à une fiabilité à long terme.

Champs d'Application Réels

Adapté à une variété d'applications de puissance, y compris les convertisseurs et les onduleurs.

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