Modèle de Produit

CY7C1021BN-15ZXC

Introduction

Chip mémoire SRAM 1Mbit haute vitesse

Marque et Fabricant

Infineon Technologies

Caractéristiques

SRAM asynchrone, stockage haute densité de 1Mbit, interface mémoire parallèle, temps d'accès et de cycle d'écriture rapides

Performance du Produit

Temps d'accès de 15ns, temps de cycle d'écriture de 15ns, performance de lecture/écriture robuste

Spécifications Techniques

Type de mémoire : SRAM volatile, format de mémoire : SRAM - Asynchrone, taille de mémoire : 1Mbit, organisation de la mémoire : 64K x 16

Dimensions, Forme et Conditionnement

Montage en surface, emballage 44-TSOP II (0,400'', 10,16mm de largeur)

Qualité et Fiabilité

Plage de température opérationnelle de 0°C à 70°C

Avantages du Produit

Temps d'accès rapide pour des applications haute vitesse

Compétitivité du Produit

Offre des vitesses d'écriture et d'accès compétitives dans sa catégorie

Compatibilité

Compatible avec les systèmes d'interface parallèle

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux certifications industrielles standard pour les composants électroniques

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour un fonctionnement fiable à long terme dans sa plage de température

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les systèmes embarqués, les télécommunications et les applications informatiques où un accès rapide à la mémoire volatile est requis.

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