Modèle de Produit

CY7C136-25JXI

Introduction

Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone à double port obsolète.

Marque et Fabricant

Infineon Technologies

Caractéristiques

Type de mémoire volatile, SRAM - Double port, technologie asynchrone, Interface mémoire : parallèle.

Performance du Produit

Temps d'accès : 25 ns, Temps de cycle d'écriture - Mot, Page : 25 ns, Température de fonctionnement : -40°C à 85°C (TA).

Spécifications Techniques

Taille de la mémoire : 16 Kbit, Organisation de la mémoire : 2 K x 8.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Type de montage : montage en surface, Boîtier / Affaire : 52-LCC (J-Lead), Paquet de dispositifs du fournisseur : 52-PLCC (19.13x19.13).

Qualité et Fiabilité

Conçu pour un fonctionnement à haute vitesse, Technologie SRAM éprouvée.

Avantages du Produit

Temps d'accès et temps de cycle d'écriture rapides.

Compétitivité du Produit

Idéal pour le soutien des systèmes hérités, Utilisé dans des applications où un accès mémoire rapide est crucial.

Compatibilité

Compatible avec diverses plages de fonctionnement, Interface mémoire parallèle pour une intégration facile.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux réglementations standard des composants électroniques.

Durée de Vie et Durabilité

Fonctionnement robuste de -40°C à 85°C.

Champs d'Application Réels

Utilisé dans des équipements industriels, militaires et de communication plus anciens.

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