Modèle de Produit

S29GL128S10DHB020

Introduction

Mémoire Flash NOR parallèle 128Mbit haute performance conçue pour une large gamme d'applications.

Marque et Fabricant

Infineon Technologies

Caractéristiques

128Mbit de mémoire FLASH NON volatile, organisée en 8M x 16, interface mémoire parallèle, fiabilité grade automobile, qualification AEC-Q100.

Performance du Produit

Temps de cycle d'écriture : 60ns, temps d'accès : 100ns.

Spécifications Techniques

Technologie : FLASH - NOR, tension d'alimentation : 2,7V à 3,6V, gamme de températures de fonctionnement : -40°C à 105°C.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballé dans un plateau, package 64-LBGA, montage en surface, dimensions : package du fournisseur 64-FBGA (9x9).

Qualité et Fiabilité

Répond aux normes automobiles rigoureuses, endurance et rétention robustes.

Avantages du Produit

Performance haute vitesse adaptée aux applications avancées, conception durable garantissant une opération fiable dans des conditions difficiles.

Compétitivité du Produit

Positionné de manière compétitive sur les marchés automobile et industriel, offre un équilibre entre performance et fiabilité.

Compatibilité

Compatible avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.

Certification et Conformité aux Normes

Certifié AEC-Q100 pour les normes de fiabilité automobile, répond aux normes industrielles courantes pour la mémoire Flash NOR.

Durée de Vie et Durabilité

Soutien et disponibilité à long terme du produit.

Champs d'Application Réels

Electronique automobile, systèmes de contrôle industriel, infrastructure de télécommunication, électronique grand public.

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