Modèle de Produit

S29GL512T11TFIV10

Introduction

Chip mémoire FLASH haute densité.

Marque et Fabricant

Infineon Technologies

Caractéristiques

Technologie de mémoire non volatile, grande capacité mémoire pour applications avancées, supporte des opérations à haute vitesse, interface mémoire parallèle pour une gestion rapide des données.

Performance du Produit

Temps de cycle d'écriture rapide de 60ns, temps d'accès rapide de 110ns.

Spécifications Techniques

Technologie FLASH - NOR pour un stockage fiable, capacité mémoire de 512Mbit, organisation de 64M x 8 pour un agencement structuré des données.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Conditionné dans un plateau, emballage de montage en surface 56-TFSOP, dimensions : 0,724 pouces, 18,40 mm de largeur.

Qualité et Fiabilité

Fonctionne efficacement dans des conditions extrêmes de -40 °C à 85 °C, conforme aux standards de qualité de l'industrie.

Avantages du Produit

Approprié pour les applications de mémoire haute densité, solution de stockage non volatile optimale, performance constante à travers une large gamme de températures.

Compétitivité du Produit

Se distingue par un fonctionnement stable et une durée de vie durable, compétitif dans le domaine des solutions de stockage à grande échelle.

Compatibilité

Interface parallèle adaptée à une large gamme d'applications industrielles, conforme aux standards de conception systèmes courants.

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux normes de conformité et de certification d'Infineon Technologies.

Durée de Vie et Durabilité

Fiabilité à long terme soutenant l'endurance FLASH et les exigences de rétention de données.

Champs d'Application Réels

Convient à une variété d'applications, y compris l'automobile, l'industrie, les réseaux et les systèmes de télécommunications.

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