| DMP3037LSS-13 | |
|---|---|
| Modèle de produit | DMP3037LSS-13 |
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO |
| Quantité disponible | 13000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.DMP3037LSS-13.pdf2.DMP3037LSS-13.pdf3.DMP3037LSS-13.pdf |
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| Informations techniques de DMP3037LSS-13 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | DMP3037LSS-13 | Catégorie | |
| Fabricant | Diodes Incorporated | La description | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO |
| Paquet / cas | 8-SO | Quantité disponible | 13000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.2W (Ta) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 931 pF @ 15 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19.3 nC @ 10 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.8A (Ta) |
| Numéro de produit de base | DMP3037 | DMP3037LSS-13 Détails PDF [English] | DMP3037LSS-13 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | DMP3037LSS-13 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
DMP3037LSS-13
Introduction
MOSFET canal P pour les applications de gestion de puissance
Marque et Fabricant
Diodes Incorporated
Caractéristiques
FET à oxyde métallique semi-conducteur, canal P, montage en surface, sans plomb et conforme à la directive RoHS, courant de drain continu élevé, faible résistance à l'état passant, boîtier 8-SOIC
Performance du Produit
Plage de température de fonctionnement élargie, dissipation de puissance élevée, conversion de puissance efficace, génération de chaleur réduite
Spécifications Techniques
Technologie FET : MOSFET, Tension drain-source : 30V, Courant de drain continu : 5.8A, Résistance à l'état passant : 32 mOhm, Tension de commande : 4.5V à 10V, Charge de grille : 19.3nC
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier : 8-SOIC, Dimensions : 3.90mm de largeur, Emballage du fabricant : 8-SO, Emballage : bande et bobine (TR)
Qualité et Fiabilité
Haute fiabilité pour les applications de puissance, performance prouvée dans des conditions diverses
Avantages du Produit
Conception écoénergétique, faible résistance thermique, grande capacité de gestion de la puissance
Compétitivité du Produit
Tarification compétitive, caractéristiques électriques supérieures
Compatibilité
Compatible avec le montage en surface, couramment utilisé dans les circuits de gestion de puissance
Certification et Conformité aux Normes
Conforme à la directive RoHS, sans plomb
Durée de Vie et Durabilité
Longue durée de vie opérationnelle, matériaux respectueux de l'environnement
Champs d'Application Réels
Circuits d'alimentation, convertisseurs DC-DC, systèmes de gestion de batterie, interrupteurs de charge, électronique grand public
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ DMP3037LSS-13 Online.
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