| BSC077N12NS3GATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | BSC077N12NS3GATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON |
| Quantité disponible | 2065 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.BSC077N12NS3GATMA1.pdf2.BSC077N12NS3GATMA1.pdf3.BSC077N12NS3GATMA1.pdf4.BSC077N12NS3GATMA1.pdf5.BSC077N12NS3GATMA1.pdf |
| BSC077N12NS3GATMA1 Price |
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| Informations techniques de BSC077N12NS3GATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | BSC077N12NS3GATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-1 | Quantité disponible | 2065 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-1 |
| Séries | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 139W (Tc) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 60 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 120 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13.4A (Ta), 98A (Tc) |
| Numéro de produit de base | BSC077 | ||
| Télécharger | BSC077N12NS3GATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
BSC077N12NS3 GATMA1
Introduction
Transistor MOSFET N-Channel à haute efficacité
Marque et Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caractéristiques
Série OptiMOS pour une densité de puissance et une efficacité supérieures. Résistance à l'état passant faible pour des performances de commutation élevées. Temps de commutation et temps de montée rapides. Excellentes performances thermiques.
Performance du Produit
Robuste et capable de résister à une large gamme de conditions de fonctionnement. Capacité élevée de courant de drain continu. Faible dissipation de puissance pour une efficacité globale améliorée.
Spécifications Techniques
Technologie MOSFET. Tension de drain à source de 120V (Vdss). Courant de drain continu de 13,4A à 98A (Id). Résistance à l'état passant de 7,7 mOhm à 50A et 10V. Tension de seuil de porte de 4V (Vgs(th)).
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier PG-TDSON-8. Enroulement et bande (TR) pour les lignes d'assemblage automatisées. Type de montage en surface.
Qualité et Fiabilité
Sans plomb / Conforme à la directive RoHS pour la durabilité environnementale. Haute fiabilité sur une large plage de températures (-55°C à 150°C).
Avantages du Produit
Densité de puissance améliorée pour des conceptions compactes. Efficacité supérieure dans les applications de conversion de puissance. Durée de vie de la batterie prolongée dans les applications portables. Complexité de gestion thermique réduite.
Compétitivité du Produit
Avantage concurrentiel en matière d'efficacité énergétique et de taille. Vitesses de commutation supérieures réduisant les pertes d'énergie. Optimisé pour des applications haute performance.
Compatibilité
Compatible avec les équipements de technologie de montage en surface. Adapté aux circuits imprimés à haute densité.
Certification et Conformité aux Normes
Répond aux normes RoHS pour les substances interdites.
Durée de Vie et Durabilité
Longue durée de vie du produit avec des performances soutenues. Énergétiquement efficace pour réduire l'empreinte écologique.
Champs d'Application Réels
Unités d'alimentation, convertisseurs DC-DC, entraînements de moteurs, systèmes de gestion de batterie, applications informatiques et serveurs.
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ BSC077N12NS3GATMA1 Online.
| Action BSC077N12NS3GATMA1 | Prix BSC077N12NS3GATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 Electronique | |||
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