| SPA11N80C3 | |
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| Modèle de produit | SPA11N80C3 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
| Quantité disponible | 9200 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
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| Informations techniques de SPA11N80C3 | |||
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| Référence fabricant | SPA11N80C3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
| Paquet / cas | TO220F | Quantité disponible | 9200 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO220-FP |
| Séries | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 34W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 800V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
| SPA11N80C3 Détails PDF [English] | SPA11N80C3 PDF - EN.pdf | ||
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Modèle de Produit
SPA11N80C3
Introduction
Transistor MOSFET N-Channel haute tension conçu pour des applications de conversion d'énergie à haute efficacité.
Marque et Fabricant
International Rectifier (Technologies Infineon)
Caractéristiques
Technologie CoolMOS pour réduire les pertes d'énergie; Haute tension de claquage (800V); Faible résistance à l'état passant (450 mOhm); Boîtier traversant pour un montage facile; Adapté aux opérations à haute température jusqu'à 150°C.
Performance du Produit
Peut gérer un courant de drainage continu allant jusqu'à 11A à 25°C; Supporte une tension de grille-source allant jusqu'à ±20V; Dispose d'une dissipation de puissance maximale de 34W; Fonctionne efficacement avec une charge de grille de 85nC à 10V.
Spécifications Techniques
Type de FET : MOSFET N-Channel; Tension Drain-Source (Vdss) : 800V; Courant - Drain continu (Id) à 25°C : 11A; Rds On (Max) à Id, Vgs : 450 mOhm à 7.1A, 10V; Charge de grille (Qg) (Max) à Vgs : 85nC à 10V; Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds : 1600pF à 100V; Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) : 10V.
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier / Case : TO-220-3 Full Pack; Paquet de dispositif fournisseur : PG-TO220-FP; Emballage standard en tube pour un maniement et un stockage sécurisés.
Qualité et Fiabilité
Conçu pour répondre à des normes de qualité et de fiabilité strictes dans des environnements industriels; Gestion thermique robuste pour une durée de vie prolongée.
Avantages du Produit
Capacité haute tension et efficacité énergétique améliorant la performance globale du système; Conception robuste adaptée aux applications exigeantes.
Compétitivité du Produit
Positionnement compétitif sur le marché des MOSFET haute tension; Offre des avantages de performance par rapport à des produits similaires en termes d'efficacité et de gestion thermique.
Compatibilité
Compatible avec les techniques de montage traversant standard; Fonctionne avec des tensions de commande de grille typiques utilisées dans des applications de haute puissance.
Certification et Conformité aux Normes
Conforme aux spécifications industrielles standards pour la sécurité et la performance.
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour une fiabilité à long terme dans des conditions de haute contrainte; Favorise des opérations durables grâce à une performance économe en énergie.
Champs d'Application Réels
Largement utilisé dans les alimentations électriques, les onduleurs et les régulateurs de commutation; Adapté aux applications nécessitant une haute tension et une gestion de l'énergie comme des entraînements industriels et des onduleurs solaires.
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