| IAUC120N04S6L005ATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Quantité disponible | 5050 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| IAUC120N04S6L005ATMA1 Price |
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| Informations techniques de IAUC120N04S6L005ATMA1 | |||
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| Référence fabricant | IAUC120N04S6L005ATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-53 | Quantité disponible | 5050 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | Vgs (Max) | ±16V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-53 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.55mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 187W (Tc) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11203 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tj) |
| Numéro de produit de base | IAUC120 |
Modèle de Produit
IAUC120N04S6L005ATMA1
Introduction
MOSFET N-Channel haute performance conçu pour la régulation et la commutation de puissance.
Marque et Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caractéristiques
MOSFET N-Channel, idéal pour la régulation de puissance à haute efficacité. Prend en charge la technologie de montage en surface pour une assemblage compact. Gestion thermique améliorée avec le boîtier PowerTDFN 8. Résistance élevée aux événements d'avalanche répétitifs.
Performance du Produit
Peut gérer des courants de drainage continus allant jusqu'à 120A à 25°C. Fonctionne efficacement dans une plage de température de -55°C à 175°C. Faible résistance à l'état passant de 0,55mOhm à 60A et 10V, minimisant les pertes de puissance. Haute charge de porte et capacité d'entrée facilitent la commutation rapide.
Spécifications Techniques
Tension de drain à source (Vdss) : 40V. Courant de drainage continu (Id) : 120A. Résistance à l'état passant (Rds On) : 0,55mOhm. Tension de seuil de porte (Vgs(th)) : 2V. Charge de porte (Qg) : 177 nC. Capacité d'entrée (Ciss) : 11203 pF. Tension de pilotage : 4,5V à 10V. Tension maximale porte-source (Vgs Max) : ±16V.
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier 8-PowerTDFN. Forme de montage en surface compacte (PG-TDSON-8-53).
Qualité et Fiabilité
Conçu pour résister à des environnements difficiles et à des exigences thermiques élevées. Destiné à une fiabilité à long terme dans des applications haute performance.
Avantages du Produit
Capacité de courant élevée et faible génération de chaleur. Optimisé pour des applications de puissance haute densité.
Compétitivité du Produit
Compétitif sur les marchés nécessitant haute efficacité et fiabilité dans la régulation de puissance.
Compatibilité
Compatible avec divers circuits de régulation de puissance haute performance.
Certification et Conformité aux Normes
Répond aux normes industrielles en matière de performance et de sécurité.
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour la durabilité et une longue durée de vie opérationnelle dans des conditions strictes.
Champs d'Application Réels
Convient pour les alimentations, les convertisseurs DC-DC, les entraînements de moteurs et d'autres applications haute puissance.
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