| IXFH12N120P | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFH12N120P |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| Quantité disponible | 3080 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXFH12N120P.pdf |
| IXFH12N120P Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de IXFH12N120P | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFH12N120P | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| Paquet / cas | TO-247AD (IXFH) | Quantité disponible | 3080 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
| Séries | HiPerFET™, Polar | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 543W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXFH12 | ||
| Télécharger | IXFH12N120P PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
IXFH12N120P
Introduction
Transistor MOSFET à haute tension
Marque et Fabricant
IXYS Corporation
Caractéristiques
MOSFET N-Channel, dissipation de puissance élevée, tension de service élevée, faible résistance à l'état passant
Performance du Produit
Gestion énergétique efficace, gestion thermique robuste, capacités de commutation haute vitesse, large gamme de température de fonctionnement
Spécifications Techniques
Technologie des semi-conducteurs à oxyde métallique, tension de drain à source (Vdss) de 1200V, courant de drain continu (Id) de 12A à 25°C, résistance à l'état passant (Rds) de 1.35 Ohm à 500mA, 10V, tension de seuil de porte (Vgs(th)) de 6.5V à 1mA, charge de porte (Qg) de 103nC à 10V, capacité d'entrée (Ciss) de 5400pF à 25V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Type de montage à trou traversant, boîtier/packaging TO-247-3, package de dispositif fournisseur TO-247AD, emballage en tube
Qualité et Fiabilité
Haute fiabilité même dans des conditions extrêmes
Avantages du Produit
Faibles pertes de conduction, tension de claquage élevée
Compétitivité du Produit
Solution de puissance haute tension compétitive
Compatibilité
Compatible avec une large gamme d'applications à haute tension
Certification et Conformité aux Normes
Sans plomb / Conforme à la directive RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Durable sous haute contrainte et à des températures variées
Champs d'Application Réels
Systèmes d'alimentation, contrôleurs de moteur, onduleurs, alimentations à découpage
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IXFH12N120P Online.
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