| IXFH75N10 | |
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| Modèle de produit | IXFH75N10 |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD |
| Quantité disponible | 5773 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXFH75N10.pdf |
| Télécharger | IXFH75N10 Détails PDF |
| IXFH75N10 Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de IXFH75N10 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFH75N10 | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD |
| Paquet / cas | TO-247AD (IXFH) | Quantité disponible | 5773 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
| Séries | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 37.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXFH75 | IXFH75N10 Détails PDF [English] | IXFH75N10 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | IXFH75N10 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
IXFH75N10
Introduction
Transistor MOSFET de puissance N-Channel haute performance.
Marque et Fabricant
IXYS Corporation
Caractéristiques
MOSFET N-Channel, capacité de courant élevée de 75A, faible Rds (On) de 20 mOhm, tension de drain à source élevée de 100V, boîtier robuste TO-247AD.
Performance du Produit
Fonctionnement continu à haute température de -55°C à 150°C, dissipation de puissance maximale de 300W, haute capacité d'entrée de 4500pF, charge de porte de 260nC.
Spécifications Techniques
Technologie MOSFET, série HiPerFET haute performance, tension de seuil de porte de 4V, tension de commande de 10V, tension maximale porte-source de ±20V.
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier à travers le trou TO-247AD, emballage du fabricant : TO-247AD (IXFH), fourni dans un emballage en tube.
Qualité et Fiabilité
Conçu pour une haute fiabilité et qualité, sans plomb et conforme à la RoHS pour la sécurité environnementale.
Avantages du Produit
Capacités de gestion de puissance efficaces, adapté aux applications à impulsion grâce à une commutation rapide.
Compétitivité du Produit
Compète avec d'autres transistors haute puissance en termes d'efficacité et de fiabilité.
Compatibilité
Compatible avec diverses applications à haut courant et haute tension.
Certification et Conformité aux Normes
Sans plomb / Conforme RoHS.
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour un fonctionnement durable dans des conditions spécifiées.
Champs d'Application Réels
Adapté à l'alimentation électrique, au contrôle de moteurs et à d'autres circuits électroniques haute puissance.
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IXFH75N10 Online.
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