| IXTA180N10T | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXTA180N10T |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 100V 180A TO263 |
| Quantité disponible | 2977 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXTA180N10T.pdf |
| IXTA180N10T Price |
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| Informations techniques de IXTA180N10T | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXTA180N10T | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 100V 180A TO263 |
| Paquet / cas | TO-263AA | Quantité disponible | 2977 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-263AA |
| Séries | Trench | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXTA180 | ||
| Télécharger | IXTA180N10T PDF - EN.pdf | ||
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