| IXTA3N120 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXTA3N120 |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 |
| Quantité disponible | 5100 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXTA3N120.pdf |
| Télécharger | IXTA3N120 Détails PDF |
| IXTA3N120 Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de IXTA3N120 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXTA3N120 | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 |
| Paquet / cas | TO-263AA | Quantité disponible | 5100 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-263AA |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXTA3 | IXTA3N120 Détails PDF [English] | IXTA3N120 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | IXTA3N120 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
IXTA3N120
Introduction
MOSFET à haute tension N-Channel
Marque et Fabricant
Corporation IXYS
Caractéristiques
Technologie MOSFET à oxyde métallique, N-Channel pour une plus grande efficacité, tension drain-source élevée de 1200V, emballage en surface en boîtier TO-263
Performance du Produit
Courant de drain continu de 3A à 25°C, faible résistance en état passant de 4,5 ohms à 1,5A, 10V, capacité de dissipation de puissance élevée de 200W
Spécifications Techniques
Type FET: MOSFET N-Channel, Tension drain-source (Vdss): 1200V, Courant - Drain continu (Id): 3A, Rds On: 4,5 ohms, Charge de porte (Qg): 42nC, Capacité d'entrée (Ciss): 1350pF, Tension d'alimentation: 10V, Température de fonctionnement: -55°C à 150°C
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage: TO-263-3, D2PAK, Sans plomb / conforme à RoHS, Emballage: Tube
Qualité et Fiabilité
Performance fiable dans des conditions extrêmes
Avantages du Produit
Capacité de haute tension idéale pour la régulation de puissance, conception N-Channel écoénergétique, sans plomb et conforme aux réglementations environnementales
Compétitivité du Produit
Concurrentiel dans les applications de puissance haute tension
Compatibilité
Compatible avec divers circuits nécessitant une haute tension
Certification et Conformité aux Normes
Conforme à RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Conception durable pour une utilisation à long terme
Champs d'Application Réels
Unités d'alimentation, entraînements de moteurs, onduleurs, convertisseurs, véhicules électriques, systèmes d'énergie renouvelable
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IXTA3N120 Online.
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