IXTH16N20D2 | |
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Modèle de produit | IXTH16N20D2 |
Fabricant | IXYS |
La description | MOSFET N-CH 200V 16A TO247 |
Quantité disponible | 6861 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | IXTH16N20D2.pdf |
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IXTH16N20D2 Price |
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Informations techniques de IXTH16N20D2 | |||
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Référence fabricant | IXTH16N20D2 | Catégorie | |
Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 200V 16A TO247 |
Paquet / cas | TO-247 (IXTH) | Quantité disponible | 6861 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | - | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247 (IXTH) |
Séries | Depletion | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 8A, 0V |
Dissipation de puissance (max) | 695W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 25 V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 208 nC @ 5 V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | Depletion Mode | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - |
Tension drain-source (Vdss) | 200 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Numéro de produit de base | IXTH16 | IXTH16N20D2 Détails PDF [English] | IXTH16N20D2 PDF - EN.pdf |
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IXTH16N20D2
Il s'agit d'un type de transistor classé parmi les FETs (Transistors à Effet de Champ) - MOSFETs (Transistor à Effet de Champ Métal-Oxyde-Sémiconducteur). Spécifiquement, c'est un MOSFET à canal N en mode d'épuisement.
IXYS Corporation
Possède un numéro de pièce du fabricant : IXTH16N20D2. Est sans plomb et conforme à la directive RoHS. Vendu en emballage tube. Utilise la technologie MOSFET (Oxyde Métallique).
Peut fonctionner dans une plage de température de -55°C à 150°C (TJ). Type de montage est à travers le trou. Tension de Drain à Source (Vdss) allant jusqu'à 200V. Peut maintenir un courant de drain continu (Id) à 25°C allant jusqu'à 16A (Tc). Résistance Rds max On à Id, Vgs est de 73 mOhm à 8A, 0V. Charge de porte maximale (Qg) à Vgs est de 208nC à 5V. Capacité d'entrée maximale (Ciss) à Vds est de 5500pF à 25V.
Se présente dans un boîtier TO-247-3. Emballage du dispositif fournisseur : TO-247 (IXTH). Dissipation de puissance maximale (Max) est de 695W (Tc). Vgs maximum est de ±20V.
Présente un boîtier TO-247-3. Vendu en emballage tube.
Le produit est conforme à la norme RoHS, garantissant qu'il est sans plomb et sûr à utiliser. Le fabricant est IXYS Corporation, un fournisseur réputé de semi-conducteurs de puissance.
Il fonctionne à des tensions et des courants élevés. Il est adapté à une large gamme de conditions de température.
Dispose d'une capacité de dissipation de puissance élevée. Provenant d'un fabricant fiable.
Compatibile avec un large éventail de dispositifs en raison de son type de montage à travers le trou.
Il est sans plomb et conforme à la directive RoHS.
Fabriqué à partir de matériaux durables capables de résister à des températures et à des tensions élevées.
Convient à toute application technologique nécessitant une haute tension et un courant, parmi d'autres exigences.
Action IXTH16N20D2 | Prix IXTH16N20D2 | IXTH16N20D2 Electronique | |||
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