| IXTH200N10T | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXTH200N10T |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 100V 200A TO247 |
| Quantité disponible | 5761 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXTH200N10T.pdf |
| Télécharger | IXTH200N10T Détails PDF |
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| Informations techniques de IXTH200N10T | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXTH200N10T | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 100V 200A TO247 |
| Paquet / cas | TO-247 (IXTH) | Quantité disponible | 5761 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247 (IXTH) |
| Séries | Trench | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 550W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9400 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXTH200 | IXTH200N10T Détails PDF [English] | IXTH200N10T PDF - EN.pdf |
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