| IXTT10P60 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXTT10P60 |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET P-CH 600V 10A TO268 |
| Quantité disponible | 2570 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXTT10P60.pdf |
| IXTT10P60 Price |
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| Informations techniques de IXTT10P60 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXTT10P60 | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET P-CH 600V 10A TO268 |
| Paquet / cas | TO-268AA | Quantité disponible | 2570 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-268AA |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) | Package / Boîte | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXTT10 | ||
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