BSM400D12P2G003
Modèle de produit BSM400D12P2G003
Fabricant Rohm Semiconductor
La description SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Quantité disponible 4 pcs in stock
Modèle ECAD
Feuilles de données
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Informations techniques de BSM400D12P2G003
Référence fabricant BSM400D12P2G003 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant LAPIS Technology La description SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Paquet / cas module Quantité disponible 4 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 85mA La technologie Silicon Carbide (SiC)
Package composant fournisseur Module Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - Puissance - Max 2450W (Tc)
Package / Boîte Module Emballer Bulk
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 38000pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 400A (Tc)
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) Numéro de produit de base BSM400
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