MT46V128M8TG-6T
Modèle de produit MT46V128M8TG-6T
Fabricant MICRON
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Référence fabricant MT46V128M8TG-6T Catégorie Circuits intégrés (ci)
Fabricant Micron Technology La description
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TSOP66 Condition New Original Stock
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Port HongKong RFQ Email

Modèle de Produit

MT46V128M8TG-6T

Introduction

Circuit intégré de mémoire (DDR SDRAM)

Marque et Fabricant

Micron Technology

Caractéristiques

DDR SDRAM (Mémoire à accès aléatoire dynamique synchrone à double taux de données), architecture parallèle, horloge de données différentielle.

Performance du Produit

Densité de 8 Gbit, taux de données de 6 ns, correction d’erreurs disponible.

Spécifications Techniques

Alimentation de 3,3 V, latence CL3, horloge de données bidirectionnelle.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier TSOP (Thin Small Outline Package), forme rectangulaire, montage en surface.

Qualité et Fiabilité

Soutien à long terme du fabricant, conformité aux normes JEDEC, protocoles de test rigoureux.

Avantages du Produit

Performances à large bande passante, faible latence.

Compétitivité du Produit

Position forte sur le marché de la DDR SDRAM, réputation de Micron pour la qualité des produits mémoires.

Compatibilité

Compatible avec de nombreux microprocesseurs haute vitesse, conforme aux normes de mémoire DDR SDRAM.

Certification et Conformité aux Normes

Conformité aux normes JEDEC, respect de la directive RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Durée de vie opérationnelle correspondant aux besoins des systèmes typiques, matériaux écologiques réduisant l’impact environnemental.

Champs d'Application Réels

Ordinateurs personnels, serveurs et stations de travail, dispositifs de communication.

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