Modèle de Produit

MT46V16M16FG-6

Introduction

Circuit intégré DRAM haute vitesse pour applications spécialisées.

Marque et Fabricant

Micron Technology, Inc.

Caractéristiques

Large bande passante mémoire, faible latence, architecture à double taux de données, latence CAS programmable, longueur de burst programmable.

Performance du Produit

Vitesses d'horloge rapides pour un accès rapide aux données, performance stable sous différentes conditions, faible consommation d'énergie.

Spécifications Techniques

Circuit intégré mémoire - DDR SDRAM, Tension - 2,5V.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage TSOP-II, empreinte à 84 billes, dimensions standard de l'industrie pour la compatibilité.

Qualité et Fiabilité

Construction de haute qualité, testé de manière approfondie pour la performance.

Avantages du Produit

Amélioration de la réactivité du système, capacités de multitâche améliorées.

Compétitivité du Produit

Prix compétitif sur le marché des circuits intégrés mémoire, ensemble de fonctionnalités robuste pour des applications spécialisées.

Compatibilité

Compatible avec un large éventail de microprocesseurs et de chipsets.

Certification et Conformité aux Normes

Conformité aux normes JEDEC.

Durée de Vie et Durabilité

Fiable avec une longue durée de vie opérationnelle, fabriqué à partir de matériaux d'origine durable.

Champs d'Application Réels

Informatique, réseaux, jeux, applications industrielles.

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