Modèle de Produit

BUK98150-55A/CUF

Introduction

Transistor MOSFET N-Channel haute performance

Marque et Fabricant

Nexperia

Caractéristiques

Technologie TrenchMOS, boîtier SOT-223 de montage en surface très efficace, sans plomb et conforme à la directive RoHS, conçu pour une faible charge de grille et un dissipation de puissance optimale.

Performance du Produit

Fonctionne de -55°C à 150°C, courant de drain continu de 5,5A à 25°C, faible Rds(on) de 137 mOhm à 5A et 10V.

Spécifications Techniques

Technologie MOSFET (oxyde métallique), tension de drain à source (Vdss) de 55V, dissipation de puissance maximale de 8W, tension de grille-source (Vgs max) de ±15V.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier TO-261-4, TO-261AA, boîtier de l'appareil fournisseur SOT-223, expédié en bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé.

Qualité et Fiabilité

Conçu selon les normes de l'industrie pour une haute fiabilité.

Avantages du Produit

Optimisé pour réduire les pertes de conduction et de commutation.

Compétitivité du Produit

Un choix compétitif pour l'efficacité énergétique et les performances thermiques.

Compatibilité

Compatible avec des processus de montage en surface typiques.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes RoHS pour la sécurité environnementale.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour durer dans des conditions de température difficiles.

Champs d'Application Réels

Convient pour la gestion de l'énergie, les applications de commutation et les circuits électroniques nécessitant une haute efficacité.

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