Modèle de Produit

K4W1G1646E-HC15

Introduction

Mémoire IC DDR3 SDRAM

Marque et Fabricant

Samsung Semiconductor

Caractéristiques

Transfert de données haute vitesse, fonctionnement à basse tension, DRAM synchrone haute vitesse, 8 banques internes pour un fonctionnement simultané

Performance du Produit

Débits de données allant jusqu'à 1866 Mt/s, Latence CAS 15 (CL15), signalisation différentielle de données double

Spécifications Techniques

Taille de mémoire : 1 Go, Type de mémoire : DDR3 SDRAM, Fréquence d'horloge : jusqu'à 933 MHz, Tension I/O : 1,5 V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage en Fine Ball Grid Array (FBGA)

Qualité et Fiabilité

Plage de température étendue, conformité aux normes JEDEC

Avantages du Produit

Économe en énergie, large bande passante de données, technologie stable et éprouvée

Compétitivité du Produit

Marque réputée, largement utilisée dans l'industrie, bon rapport qualité-prix

Compatibilité

Compatible avec les emplacements standard DDR3 SDRAM, idéal pour des applications PC et serveurs

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes JEDEC, conforme à la directive RoHS

Durée de Vie et Durabilité

Durée de vie opérationnelle prolongée, fabriqué avec des matériaux durables

Champs d'Application Réels

Informatique personnelle, serveurs, systèmes informatiques haute performance, équipements de mise en réseau

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