Modèle de Produit

K6R4016V1D-TC10

Introduction

Puce de mémoire à accès aléatoire statique (SRAM) à haute vitesse

Marque et Fabricant

Samsung Semiconductor

Caractéristiques

Faible consommation d'énergie, accès et temps de cycle à haute vitesse, alimentation unique de +5V, tension de conservation des données faible

Performance du Produit

Lecture/écriture de données stable et à haute vitesse, haute fiabilité sous diverses conditions d'exploitation, large plage de température de fonctionnement

Spécifications Techniques

Capacité mémoire : 4 Mégabits, bus de données : 16 bits, temps d'accès : 10 ns, type de cellule : SRAM

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier TSOP-II 44 broches, boîtier fin et de petite dimension (TSOP), compatible avec la technologie de montage en surface (SMT)

Qualité et Fiabilité

Produit par un fabricant de confiance, Samsung, répond aux normes de haute qualité pour les dispositifs semi-conducteurs, testé de manière approfondie pour la cohérence des performances

Avantages du Produit

Idéal pour les caches à haute vitesse et le stockage de données temporaire, fonctionnement à faible tension pour minimiser la consommation d'énergie

Compétitivité du Produit

Tarification compétitive sur le marché des SRAM, composant de haute qualité d'un fabricant de premier plan

Compatibilité

Compatible avec divers microprocesseurs et microcontrôleurs à haute vitesse, facilement intégrable avec de nombreux circuits numériques

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes RoHS, fabrication conformément aux normes JEDEC

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle, impact environnemental relativement faible avec conformité RoHS

Champs d'Application Réels

Machines à jeux électroniques, matériel de mise en réseau, systèmes de télécommunications, systèmes de contrôle industriel, dispositifs d'imagerie médicale

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