Modèle de Produit

K6T4016U3B-TF85

Introduction

Mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) CMOS à haute performance.

Marque et Fabricant

Samsung Semiconductor

Caractéristiques

SRAM basse consommation, entrées et sorties compatibles TTL, mise en veille automatique lors de la désélection.

Performance du Produit

Temps d'accès rapide, faible tension de rétention des données, courant de rétention des données minimal.

Spécifications Techniques

Organisation 256Kx16 bits, plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier TSOP1 (Thin Small Outline Package) à 48 broches à pas fin.

Qualité et Fiabilité

Testé pour l'endurance et la stabilité, conformité aux normes de qualité de Samsung.

Avantages du Produit

Solution SRAM à haute densité, faible consommation d'énergie idéale pour les applications alimentées par batterie.

Compétitivité du Produit

Réputation de Samsung et expertise technologique, rapport qualité-prix et performance compétitifs.

Compatibilité

Compatible avec un large éventail de microprocesseurs et de processeurs de signaux numériques.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes JEDEC pour SRAM.

Durée de Vie et Durabilité

Durée de vie prolongée pour les exigences de mémoire de qualité industrielle, conformité aux normes environnementales.

Champs d'Application Réels

Télécommunications, systèmes informatiques, appareils électroniques portables, électronique automobile.

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