Modèle de Produit

K9F1G08U0B-PC80

Introduction

Mémoire Flash NAND de Samsung Semiconductor

Marque et Fabricant

Samsung Semiconductor

Caractéristiques

Capacité native de 1 Go, architecture NAND flash, module de mémoire haute densité, faible consommation d'énergie, taille de page de 2 Ko.

Performance du Produit

Vitesses de lecture et d'écriture rapides, endurance avec un grand nombre de cycles de programmation/effacement, prise en charge du code de correction d'erreurs (ECC).

Spécifications Techniques

Plage de tension : de 2,7 V à 3,6 V, temps d'accès série : 25 ns.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage en TSOP à 48 broches, format standard de puce, emballage sensible à l'humidité.

Qualité et Fiabilité

Chiffres MTBF fournis, résultats des tests de résistance disponibles, assurance qualité de Samsung.

Avantages du Produit

Haute densité de stockage, performance robuste dans diverses températures, fiabilité de la marque Samsung.

Compétitivité du Produit

Tarification compétitive sur le marché de la mémoire flash, réputation de Samsung pour des produits mémoires durables.

Compatibilité

Prend en charge les interfaces NAND flash standard, utile dans divers types de systèmes embarqués.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes de mémoire flash, conforme aux directives RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Durée de vie opérationnelle longue typique pour la mémoire NAND, conformité RoHS indiquant des substances dangereuses réduites.

Champs d'Application Réels

Électronique grand public, dispositifs mobiles, disques SSD, clés USB.

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