Modèle de Produit

2SJ106-GR

Introduction

Le 2SJ106-GR est un circuit intégré spécialisé (CI) développé par Toshiba Semiconductor et Storage, conçu pour des applications de haute précision.

Marque et Fabricant

Toshiba Semiconductor et Storage

Caractéristiques

Tolérance élevée à la tension

Faible résistance à l'état passant

MOSFET P-Channel

Transistor à petit signal

Performance du Produit

Gestion de l'énergie efficace

Haute fiabilité lors des opérations de commutation

Vitesse de commutation rapide

Spécifications Techniques

Boîtier : SOT-23

Type conducteur : P-Channel

Tension maximum entre la grille et la source : Vgs

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballé dans un petit boîtier SOT-23

Design compact et léger

Qualité et Fiabilité

Soumis à des contrôles de qualité rigoureux et à des tests de fiabilité

Haute durabilité et stabilité

Avantages du Produit

Efficacité énergétique améliorée

Adapté pour des circuits imprimés à haute densité

Résistance thermique minimisée

Compétitivité du Produit

Supériorité dans le contrôle de haute précision

Compétitif sur les marchés nécessitant une haute fiabilité et efficacité

Compatibilité

Compatible avec une large gamme d'applications de traitement et d'amplification de signaux

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux réglementations standards de l'industrie des semi-conducteurs

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour un fonctionnement à long terme

Accent sur la réduction de l'impact environnemental

Champs d'Application Réels

Utilisé dans l'audio, les télécommunications

Adapté pour la gestion de l'énergie et l'amplification de signaux dans les équipements électroniques grand public

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