Modèle de Produit

MIG75Q201H

Introduction

Module IGBT

Marque et Fabricant

Toshiba Semiconductor et Stockage

Caractéristiques

Haute Efficacité, Faible Consommation d'Énergie, Technologie de Transistor Bipolaire à Portée Intégrée (IGBT)

Performance du Produit

Hautes vitesses de commutation, Amélioration des performances thermiques, Diminution de la tension de conduction

Spécifications Techniques

Tension Collecteur-Émetteur : 1200 V, Courant Collecteur : 75 A, Dissipation de Puissance : 780 W

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage de Module Standard, Conception Compacte, Caractéristiques de Résistance Thermique

Qualité et Fiabilité

Normes de durabilité élevées, Testé pour des applications industrielles rigoureuses

Avantages du Produit

Capacité de gestion de puissance améliorée, Fonctionnement écoénergétique

Compétitivité du Produit

Très compétitif sur les marchés de l'électronique de puissance, Choix privilégié pour les applications à haute puissance

Compatibilité

Compatible avec des pilotes IGBT standards

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes de sécurité et environnementales internationales

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle, Conçu pour des performances écoénergétiques

Champs d'Application Réels

Entraînements de moteurs industriels, Onduleurs, Systèmes de gestion de l'énergie

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