RN1408,LF(B
Modèle de produit RN1408,LF(B
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
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Informations techniques de RN1408,LF(B
Référence fabricant RN1408,LF(B Catégorie  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
Paquet / cas S-Mini Quantité disponible 2679 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased Package composant fournisseur S-Mini
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 22 kOhms Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms RN1408(TE85L,F)
RN1408(TE85LF)TR
RN1408(TE85LF)TR-ND
RN1408,LF
RN1408,LF(T
RN1408LF(BTR
RN1408LFTR
RN1408LFTR-ND
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
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