| SSM3J120TU,LF | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J120TU,LF |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CH 20V 4A UFM |
| Quantité disponible | 2693 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SSM3J120TU,LF.pdf2.SSM3J120TU,LF.pdf3.SSM3J120TU,LF.pdf |
| SSM3J120TU,LF Price |
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| Informations techniques de SSM3J120TU,LF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J120TU,LF | Catégorie | |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CH 20V 4A UFM |
| Paquet / cas | UFM | Quantité disponible | 2693 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | UFM |
| Séries | U-MOSIV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 3A, 4V |
| Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | Package / Boîte | 3-SMD, Flat Leads |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1484 pF @ 10 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22.3 nC @ 4 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
| Numéro de produit de base | SSM3J120 | ||
| Télécharger | SSM3J120TU,LF PDF - EN.pdf | ||
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| Action SSM3J120TU,LF | Prix SSM3J120TU,LF | SSM3J120TU,LF Electronique | |||
| Composants SSM3J120TU,LF | SSM3J120TU,LF Inventaire | SSM3J120TU,LF Digikey | |||
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| SSM3J120TU,LF Image | SSM3J120TU,LF Photo | SSM3J120TU,LF PDF | |||
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