TC551001CFT-55L
Modèle de produit TC551001CFT-55L
Fabricant TOSHIBA
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Référence fabricant TC551001CFT-55L Catégorie Circuits intégrés (ci)
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Modèle de Produit

TC551001CFT-55L

Introduction

Composant de mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM)

Marque et Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Caractéristiques

Faible consommation d'énergie, temps d'accès rapide, stockage mémoire haute densité, plage de température étendue

Performance du Produit

Rétention de données stable, opérations de lecture/écriture à haute vitesse, opérations en mode page efficaces

Spécifications Techniques

Capacité de 1Mbit, temps d'accès de 70ns, exigence d'alimentation de 5V, technologie CMOS

Dimensions, Forme et Conditionnement

Package TSOP (Thin Small Outline Package), conception à profil bas, package monté en surface

Qualité et Fiabilité

Capacités robustes de rétention des données, résistance aux facteurs environnementaux, tests stricts d'assurance qualité

Avantages du Produit

Haute densité de stockage, fiabilité éprouvée de Toshiba, solution mémoire économique

Compétitivité du Produit

Compétitif par rapport à des circuits intégrés de mémoire similaires d'autres fabricants en termes de performances et de coût

Compatibilité

Compatible avec divers microcontrôleurs et processeurs

Certification et Conformité aux Normes

Respecte les spécifications des normes de l'industrie pour le DRAM, conforme aux certifications RoHS et autres certifications environnementales

Durée de Vie et Durabilité

Durable avec une longue durée de vie opérationnelle, options de produits écologiques disponibles

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les ordinateurs personnels, les systèmes embarqués, l'électronique grand public, les systèmes de télécommunications

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