TC58NVG2S3EBAI5
Modèle de produit TC58NVG2S3EBAI5
Fabricant TOSHIBA
La description TC58NVG2S3EBAI5 TOSHIBA
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Référence fabricant TC58NVG2S3EBAI5 Catégorie Circuits intégrés (ci)
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Modèle de Produit

TC58NVG2S3EBAI5

Introduction

Circuit intégré de mémoire Flash NAND

Marque et Fabricant

Toshiba Semiconductor et Storage

Caractéristiques

Vitesse de lecture et d'écriture élevée, grande capacité de stockage, faible consommation d'énergie, support d'effacement par page et bloc

Performance du Produit

Vitesse de programmation rapide, haute endurance, code de correction d'erreur (ECC) intégré

Spécifications Techniques

Mémoire Flash de type NAND, densité de 8 Gb (Gigabit), plage de tension d'alimentation de 2,7V à 3,6V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier Ball Grid Array (BGA), format compact

Qualité et Fiabilité

MTBF (Temps moyen entre pannes) élevé, endurance de jusqu'à 100 000 cycles de programmation/effacement

Avantages du Produit

Conservation des données compétitive, adapté aux applications à haute performance

Compétitivité du Produit

Rentable pour des solutions de stockage de masse, rapport performance-coût leader dans l'industrie

Compatibilité

Compatible avec les interfaces Flash NAND standard

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la norme RoHS, options sans halogène disponibles

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie avec une utilisation appropriée, processus de fabrication écologiques

Champs d'Application Réels

Électronique grand public, disques à état solide (SSD), dispositifs mobiles, systèmes embarqués

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