| IRF630PBF | |
|---|---|
| Modèle de produit | IRF630PBF |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
| Quantité disponible | 5557 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IRF630PBF.pdf2.IRF630PBF.pdf3.IRF630PBF.pdf |
| Télécharger | IRF630PBF Détails PDF |
| IRF630PBF Price |
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| Informations techniques de IRF630PBF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IRF630PBF | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
| Paquet / cas | TO-220AB | Quantité disponible | 5557 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220AB |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 74W (Tc) | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IRF630 | IRF630PBF Détails PDF [English] | IRF630PBF PDF - EN.pdf |
| Télécharger | IRF630PBF Détails PDF | ||
Modèle de Produit
IRF630PBF
Introduction
MOSFET canal N pour la commutation et l'amplification
Marque et Fabricant
Vishay Siliconix
Caractéristiques
Mode d'amélioration canal N, capacité de haute tension, vitesse de commutation rapide, facilité de parallélisation, faible puissance de commande requise
Performance du Produit
Capacité de gestion de courant élevée, faible Rds(on) améliore l'efficacité, haute performance thermique
Spécifications Techniques
Technologie MOSFET, tension de drain à source de 200V, courant de drain continu de 9A, dissipation de puissance de 74W, Rds(on) de 400 mOhm, charge de porte de 43nC
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier TO-220AB, type de montage traversant, emballage en tube
Qualité et Fiabilité
Sans plomb / Conforme RoHS, adapté aux applications de qualité commerciale, capable de résister à des environnements thermiques difficiles
Avantages du Produit
Économe en énergie, robuste contre les surcharges, facile à mettre en œuvre dans divers circuits
Compétitivité du Produit
Prix compétitifs sur le marché des MOSFET canal N, marque largement reconnue et réputée
Compatibilité
Compatible avec les circuits imprimés standard à montage traversant, adapté à un large éventail d'applications électroniques
Certification et Conformité aux Normes
Conforme RoHS garantissant la sécurité environnementale
Durée de Vie et Durabilité
Longue durée de vie avec un usage approprié, composant durable avec certification sans plomb
Champs d'Application Réels
Unités d'alimentation, contrôles de moteur, onduleurs, systèmes d'éclairage, électronique grand public
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IRF630PBF Online.
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