Modèle de Produit

IRF840BPBF

Introduction

MOSFET de canal N puissant

Marque et Fabricant

Vishay / Siliconix

Caractéristiques

Capacité de tension élevée de 500V, type MOSFET de canal N, technologie MOS, sans plomb et conforme à la directive RoHS, courant de drain continu de 8,7A à 25°C, dissipation de puissance maximale de 156W, faible charge de porte pour un commutation plus rapide, montage par empreintes pour une installation facile

Performance du Produit

Fonctionne dans des températures allant de -55°C à 150°C, Rds(on) de 850 mOhm à 4A et 10V de tension porte-source, tension seuil de porte basse de 5V à 250A, forte capacité d'entrée de 527pF à 100V Vds

Spécifications Techniques

Tension Drain-Source (Vdss) : 500V, Courant Drain continu (Id) à 25°C : 8,7A, Rds On (Max) à Id, Vgs : 850 mOhm, Vgs(th) (Max) à Id : 5V, Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs : 30nC, Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds : 527pF

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage TO-220-3, type d'emballage par empreintes, fourni en emballage en tube, emballage de dispositif standard pour fournisseurs TO-220AB

Qualité et Fiabilité

Assure une performance constante, adapté aux applications exigeantes

Avantages du Produit

Haute efficacité et fiabilité, facilité d'installation avec le montage par empreintes

Compétitivité du Produit

Offre une performance compétitive dans les applications à haute tension

Compatibilité

Compatible avec divers circuits nécessitant des MOSFETs à haute tension

Certification et Conformité aux Normes

Sans plomb, conforme à la directive RoHS

Durée de Vie et Durabilité

Produit durable avec une construction robuste, conçu pour une fiabilité à long terme

Champs d'Application Réels

Unités d'alimentation, entraînements de moteurs, applications de commutation à haute tension, inverses et convertisseurs

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